Baheula ayeuna, dina presentasi séri Xiaomi 12, produsén Cina ogé ngaluarkeun chip katilu tina desain sorangan. Pausahaan nyauran chip ieu Surge P1. SoC munggaran tina desain Xiaomi sorangan nyaéta Surge S1, dirilis dina 2017 sareng dipasang dina Xiaomi Mi 5C. Chip anu dikembangkeun di bumi kadua nyaéta chip Surge C1 ISP anu dileupaskeun awal taun ieu sareng Xiaomi Mi MIX FOLD. Pupuhu sareng CEO Xiaomi Lei Jun nyarios yén Xiaomi 12 Pro hadir sareng Surge P1.
Numutkeun anjeunna, saatos 18 bulan panalungtikan sareng pamekaran, microcircuit ngamungkinkeun pikeun kéngingkeun solusi sél tunggal 120W. Anjeunna nyatakeun yén ieu langkung sesah dihontal tibatan solusi dua sél 120W. Circuitry dua kali pajeulit, logika pikeun ngadalikeun switching sahiji modus 7 kali leuwih pajeulit. Salaku tambahan, skéma pemicu sareng panyalindungan 9 kali langkung kompleks. Salaku tambahan, desain sirkuit drive 6 kali langkung kompleks.
Lei Jun nyarios yén kalayan dukungan chip ieu, batré 4600mAh tiasa dicas pinuh dugi ka 100% dina modeu panggancangna dina 18 menit.
Xiaomi nyatakeun yén sistem ngecas gancang sél tunggal baheula nganggo sirkuit paralel séri 20 pompa ngecas anu béda pikeun ngarobih tegangan input 5V kana telepon sélulér kana tegangan 5V anu tiasa dicas dina batré. diperlukeun. Salaku tambahan, sajumlah ageung pompa suntik sareng arsitéktur anu nyambungkeun séri umum bakal ngahasilkeun seueur panas. Dina kaayaan nyata, mustahil pikeun ngahontal operasi kakuatan pinuh pikeun lila. Hésé ngahontal ngecas gancang 120W.
Pikeun ngabéréskeun masalah ieu sareng ngahontal ngecas gancang 120W, Xiaomi ngembangkeun dua chip ngecas pinter sareng nempatkeunna dina Surge P1. Dua ieu nyandak struktur rumit tina pompa 5 muatan tradisional. Aranjeunna ngarobih kakuatan tegangan luhur anu disayogikeun kana telepon sélulér kana arus anu luhur anu tiasa dicas langsung kana batré langkung éfisién.
Surge P1 Mangpaat
Xiaomi nyatakeun Surge P1 mangrupikeun chip pangecas résonansi munggaran di industri sareng gaduh efisiensi ultra-tinggi 4: 1 kalayan frékuénsi switching adaptif. Éféktivitas topologi résonansi ngahontal 97,5%; Efisiensi topologi non-resonant nyaéta 96,8%; leungitna panas turun ku 30%.
Surge P1 ngalakukeun seueur padamelan. Pompa loading tradisional ngan merlukeun dua modus operasi (transformasi, ngaliwatan). Tapi Surge P1 kedah ngadukung modeu konversi 1: 1, 2: 1 sareng 4: 1. Sadaya modeu kedah ngadukung konduksi dua arah. Ieu ngandung harti yén ngan 15 permutations sarta kombinasi kontrol switching mode anu diperlukeun. Ieu 7 kali langkung seueur tibatan pompa suntik tradisional. Langsung 1: mode 1 ngajadikeun ngecas layar caang leuwih efisien; langsung 2: 1 modeu cocog sareng angka nu gede ngarupakeun chargers; jeung hareup 4: 1 bisa ngarojong 120W ngecas; modeu sabalikna 1: 2/1: 4 sadia.
Numutkeun kana Xiaomi, Surge P1 ogé mangrupikeun chip Xiaomi anu paling luhur 4: efisiensi ngecas 1. Éta tiasa ngahontal dénsitas kakuatan ultra-luhur 0,83W / mm². Sajaba ti éta, LDMOS geus ngahontal hiji RSP ultra-rendah ngarah industri tina 1,18 mΩ · mm².
The Surge P1 chip merlukeun tilu kapasitor FLY béda jeung résistansi tegangan béda. Unggal kapasitor merlukeun sirkuit panyalindungan sirkuit kabuka sarta pondok mandiri. Ogé, dina unggal mode operasi perlu mastikeun ngadalikeun tegangan pre-muatan. Jumlah tabung kakuatan deukeut ka dua pompa ngecas tradisional. Kusabab topologi desain anu ningkat sareng pajeulitna fungsional, unggal chip Surge P1 kedah ngalangkungan 2500 tés sateuacan ngantunkeun pabrik. Ieu jauh leuwih luhur ti ngompa muatan tradisional.
