Ихэнх ухаалаг гар утасны чипсетийг 7nm технологиор үйлдвэрлэж байсан тэр үед Unisoc саяхан TSMC компанийн Extreme Ultraviolet Lithography (EUVL) ашиглан үйлдвэрлэсэн дэлхийн анхны 6nm чипсетийг гаргалаа. Гэсэн хэдий ч бусад компаниуд үүнээс хоцрохгүй байна.
Үүний дараа дэлхийн хоёр дахь том чипсет үйлдвэрлэгч Samsung TSMC, 6nm ба 7nm технологийг ашиглан EUV (Extreme Ultraviolet) чипсетийг бөөнөөр үйлдвэрлэж эхэлжээ. Тус компани одоо 5nm чипсетийн олон тооны үйлдвэрлэлийг эхлүүлэхээр төлөвлөж байгаагаа зарлалаа.
Компани цаашид 3nm GAN процессын зэрэгцээ дэвшилтэт процессуудад хөрөнгө оруулалт хийх болно гэдгээ нэмж хэллээ. БНСУ-ын Хвасонг хотод байрладаг Samsung V1 үйлдвэр нь үйлдвэрлэлийн байгууламж барих юм. Энэ бол орчин үеийн технологийг ашигладаг, 3 нм хүртэлх хэмжээтэй чипсет үйлдвэрлэх чадвартай төрөлжсөн үйлдвэр юм.
Google энэ жилийн сүүлээр гарахаар төлөвлөсөн өөрийн Exynos чипсетийг Samsung-тэй түншлэсэн гэсэн мэдээлэл байна. 5nm чипсет нь хоёр Cortex-A78 цөм, Cortex-A76 хоёр цөм, Cortex-A55 дөрвөн цөмөөс бүрдсэн найман цөмт процессортой байхаар төлөвлөж байна.
Борр бичил архитектур дээр суурилсан Мали улсын MP20 GPU график бус график зураг төслийг боловсруулах болно. Түүнчлэн Samsung-ийн оронд Google-ийн өөрийн Visual Core үйлчилгээ үзүүлэгч болон NPU-ийг багтаасан гэж байна.
Хоёр сарын өмнө Samsung Electronics-ийн хагас дамжуулагч хэлтэс шинээр үйлдвэрлэх гэрээ байгуулсан гэсэн мэдээлэл гарсан Qualcomm 5G чипс. Энэ нь тус компанийг TSMC-тэй өрсөлдөх хүчтэй хөшүүрэг юм.
Өрсөлдөгчдийнхөө дунд тэргүүлэхийн тулд Samsung 3nm чипсетийг 2021 оноос бөөнөөр үйлдвэрлэж эхлэх ёстой байсан ч COVID-2022 өвчний дэгдэлтээс болж компани энэ шинэ процессыг 19 он хүртэл хойшлуулахаас өөр аргагүй болжээ.
Коронавирус нь Samsung-ийг шинэ үйлдвэрлэлийн шугамуудын тоног төхөөрөмж суурилуулах ажлыг дуусгахад саад болсон гэж мэдээлсэн. Samsung-ийн 3nm процесс нь FinFET гэхээсээ илүү Gate All Around (GAAFET) технологид суурилдаг. Цахиурын нийт хэмжээг 35 хувиар бууруулж, 50 орчим хувиар бага эрчим хүч зарцуулах тооцоо гарчээ.
Энэ нь 33nm FinFET процессоос ижил эрчим хүчний зарцуулалт, бүтээмжийн 5% -иар өсөх боломжийг олгодог. GAAFET загвар нь FinFET загвараас дөрвөн сувгийн хажуу тал бүхий хаалганы эргэн тойронд хийгдсэн тул цахилгаан алдагдал багасч, сувгийн хяналт сайжирсан гэдгээрээ ялгаатай юм.
