Нещодавно віце-президент Xiaomi та голова Redmi Лу Вейбінг оголосили про початок рекламної кампанії з просування серії Redmi K50. А вчора компанія повністю розсекретила низку функцій, які будуть притаманні одному зі смартфонів нової лінійки. Зокрема було оголошено, що пристрій буде заснований на платформі Snapdragon 8 Gen 1.
Пізніше Лу Вейбінг опублікував пост, в якому заявив, що наявність топового процесора Qualcomm викликає у користувачів почуття тривоги. Він не сказав прямо, що таке занепокоєння викликане страхом; що смартфон з Snapdragon 8 Gen 1 перегріватиметься і сильно задихатиметься. Натомість він вирішив зосередитися на тому, що допоможе цього уникнути — на системі охолодження.
Топ-менеджер сказав, що користувачі повинні звертати увагу; не лише до наявності усередині смартфона системи охолодження; а й до загальної площі відведення тепла. Звичайно, чим більше, тим краще. Також варто продумати конструкцію контролю температури, щоб бути впевненим, що частота кадрів не просідає у разі підвищення температури. І останній важливий момент – енергоспоживання та швидкість зарядки.
Нагадаємо, вчора у своєму тизері компанія оголосила, що зробить Snapdragon 8 Gen 1 крутим у Redmi K50. Серед характеристик пристрою – швидка провідна зарядка потужністю 120 Вт; який здатний "заправити" акумулятор ємністю 4700 мАг всього за 17 хвилин.
Redmi K50 Gaming Edition затверджено до випуску
Нещодавно смартфон Redmi K50 Gaming Edition було сертифіковано китайським регулятором 3C; який підтвердив, що пристрій підтримуватиме швидку зарядку 120 Вт. Раніше відомий інсайдер Digital Chat Station першим повідомив, що пристрій отримає блок живлення на 120 Вт.
Інсайдер також стверджує, що Redmi K50 Game Enhanced Edition буде заснований на однокристальній системі MediaTek Dimensity 9000. Redmi K50 Game Enhanced Edition отримає OLED-дисплей 2K; із частотою 120 Гц або 144 Гц. Він матиме чотири камери, включаючи 64-мегапіксельну матрицю Sony Exmor IMX686. Також буде доступний ширококутний сенсор OV13B10 з роздільною здатністю 13 Мп та 8-мегапіксельний VTech OV08856. Четвертим датчиком стане 2-мегапіксельний датчик глибини різкості GC02M1 від GalaxyCore. Можливо, вийде ще одна версія із сенсором Samsung ISOCELL HM2 з роздільною здатністю 108 Мп.
Смартфон отримає велику батарею, надшвидку зарядку, стереодинаміки JBL та інші флагманські функції.
Digital Chat Station була першою, хто точно повідомив технічні характеристики та дати випуску Redmi K30, K40, Xiaomi Mi 10 та Mi 11.
