I en tid då de flesta smartphone-chipsets tillverkades med 7nm-teknologi släppte Unisoc nyligen världens första 6nm-chipset, som tillverkades av TSMC med Extreme Ultraviolet Lithography (EUVL). Men andra företag ligger inte långt efter.
Samsung, världens näst största chipsettillverkare efter TSMC, har redan påbörjat massproduktion av EUV (Extreme Ultraviolet) chipsets med 6nm och 7nm teknologi. Företaget har nu meddelat att man planerar att starta massproduktion av 5 nm chipsets.
Företaget tillade också att det kommer att fortsätta investera i avancerade processer såväl som 3nm GAN-processen. Samsung V1-anläggningen i Hwasong, Sydkorea kommer att bygga en produktionsanläggning. Det är ett specialiserat företag som använder toppmodern teknik som kan producera chipsets upp till 3 nm i storlek.
Det finns rapporter som hävdar att Google har samarbetat med Samsung för sin egen Exynos-chipset, som kommer att släppas senare i år. 5nm-chipset förväntas ha en åtta-kärnig processor som består av två Cortex-A78-kärnor, två Cortex-A76-kärnor och fyra Cortex-A55-kärnor.
Grafiken kommer att tas om hand av en odeklarerad Mali MP20 GPU baserad på Borr mikroarkitektur. Det sägs också inkludera Googles egen Visual Core-leverantör och NPU istället för Samsung.
För ett par månader sedan rapporterades att Samsung Electronics halvledardivision hade vunnit ett kontrakt för att tillverka nytt Qualcomm 5G chips. Detta är ett starkt incitament för företaget att konkurrera med TSMC.
För att få en ledning bland sina konkurrenter var Samsung tvungen att starta massproduktion av 3nm-chipsetet från 2021, men det ser ut som att företaget nu tvingas skjuta upp produktionen av denna nya processlansering till 2022, främst på grund av COVID-19-utbrottet.
Coronavirus har enligt uppgift hindrat Samsung från att slutföra planerade utrustningsinstallationer för nya produktionslinjer. Samsungs 3nm-process baseras på Gate All Around (GAAFET) -teknologi snarare än FinFET. Det beräknas minska den totala storleken på kisel med 35 procent medan den använder cirka 50 procent mindre energi.
Det ger också samma energiförbrukning och 33% ökad produktivitet under FinFET-processen på 5 nm. GAAFET-designen skiljer sig från FinFET-designen genom att den är byggd runt en grind med fyra kanalsidor, vilket resulterar i minskat effektläckage och förbättrad kanalkontroll.
