Xili inta badan Chipset-yada casriga ah lagu soo saarayay farsamada 7nm, ayaa Unisoc waxa ay dhawaan soo saartay Chipset-kii ugu horeeyay aduunka ee 6nm, kaas oo ay samaysay shirkada TSMC iyada oo adeegsanaysa Extreme Ultraviolet Lithography (EUVL). Si kastaba ha ahaatee, shirkadaha kale ayaan ka fogayn.
Samsung, oo ah shirkadda labaad ee soo saarta Chipset-ka adduunka kadib TSMC, waxa uu durba bilaabay soo saarista tirada badan ee EV (Extreme Ultraviolet) chipsets iyadoo la isticmaalayo 6nm iyo 7nm technology. Shirkadda ayaa hadda ku dhawaaqday inay qorsheyneyso inay bilowdo wax soo saar ballaaran oo ah 5nm chipsets.
Shirkaddu waxa kale oo ay intaa ku dartay in ay sii wadi doonto maalgashiga hababka horumarsan iyo sidoo kale habka 3nm ee GAN. Warshada Samsung V1, oo ku taal Hwasong, South Korea, ayaa dhisi doonta xarun wax soo saar. Waa shirkad gaar ah oo adeegsata tignoolajiyada casriga ah, oo awood u leh inay soo saarto Chipset-ka illaa 3nm cabbir ahaan.
Waxaa jira warar sheegaya in Google uu la wadaagay Samsung iyada oo loo marayo Exynos chipset, kaas oo la qorsheeyay in la sii daayo dhammaadka sanadkan. Chipset-ka 5nm waxa la filayaa inuu lahaado processor sideed-core ah oo ka kooban laba Cortex-A78 cores, laba Cortex-A76 cores iyo afar Cortex-A55 cores.
Garaafyada waxaa daryeeli doona Mali MP20 GPU aan la shaacin oo ku saleysan microarchitecture Borr. Waxa kale oo la sheegay inay ku jirto Google-ka Visual Core bixiyaha iyo NPU halkii Samsung.
Dhowr bilood ka hor, waxaa la soo wariyay in qaybta semiconductor ee Samsung Electronics ay ku guuleysatay qandaraas soo saarista cusub Qualcomm 5G chips. Tani waxay dhiirigelin xooggan u tahay shirkadu inay kula tartanto TSMC.
Si loo helo hogaanka tartamayaasheeda, Samsung waxay ahayd inay bilawdo wax soo saarka ballaaran ee Chipset-ka 3nm laga bilaabo 2021, laakiin waxay u egtahay in shirkaddu ay hadda ku qasban tahay inay dib u dhigto soo saarista geeddi-socodkan cusub ilaa 2022, inta badan waxaa ugu wacan COVID-19 xanuun dilaacitaan.
Coronavirus-ka ayaa la sheegay inuu ka hor istaagay Samsung inay dhamaystirto rakibaadda qalabyada la qorsheeyay ee khadadka wax soo saarka cusub. Habka 3nm ee Samsung wuxuu ku salaysan yahay tignoolajiyada Gate All Around (GAAFET) halkii uu ka ahaan lahaa FinFET. Waxaa lagu qiyaasaa inay hoos u dhigto cabbirka guud ee silikon 35 boqolkiiba iyadoo la isticmaalayo qiyaastii 50 boqolkiiba tamar ka yar.
Waxa kale oo ay keentaa isla isticmaalka tamarta iyo 33% korodhka wax soo saarka ee habka 5nm FinFET. Naqshadaynta GAAFET way ka duwan tahay nashqada FinFET iyada oo laga dhisay irid leh afar dhinac oo kanaal ah, taasoo keentay hoos u dhaca awoodda iyo hagaajinta xakamaynta kanaalka.
