לאחרונה, סגן נשיא Xiaomi וראש Redmi, Lu Weibing, הכריז על השקת קמפיין פרסומי לקידום סדרת Redmi K50. ואתמול, החברה ביטלה לחלוטין מספר פונקציות שיהיו טבועות באחד הסמארטפונים של הקו החדש. במיוחד, הוכרז כי המכשיר יתבסס על פלטפורמת Snapdragon 8 Gen 1.
מאוחר יותר, Lu Weibing פרסם פוסט בו הצהיר כי נוכחותו של מעבד עליון מבית קוואלקום גורמת למשתמשים לחוש חרדה. הוא לא אמר ישירות שחרדה כזו נובעת מפחד; שסמארטפון עם Snapdragon 8 Gen 1 יתחמם יתר על המידה ויחנק בכבדות. במקום זאת, הוא החליט להתמקד במה שיעזור להימנע מכך - במערכת הקירור.
המנהל העליון אמר שהמשתמשים צריכים לשים לב; לא רק לנוכחות של מערכת קירור בתוך הסמארטפון; אלא גם לשטח הכולל של הסרת חום. מטבע הדברים, כמה שיותר יותר טוב. כדאי גם לשקול את עיצוב בקרת הטמפרטורה כדי לוודא שקצב הפריימים לא יירד עם עליית הטמפרטורה. והנקודה החשובה האחרונה היא צריכת החשמל ומהירות הטעינה.
נזכיר כי אתמול בטיזר שלה, החברה הודיעה שהיא תהפוך את Snapdragon 8 Gen 1 למגניב ב-Redmi K50. בין המאפיינים של המכשיר ניתן למנות טעינה חוטית מהירה בהספק של 120 W; שמסוגלת "למלא" סוללה של 4700 מיליאמפר/שעה תוך 17 דקות בלבד.
Redmi K50 Gaming Edition אושרה לשחרור
לאחרונה, הסמארטפון Redmi K50 Gaming Edition אושר על ידי הרגולטור הסיני 3C; אשר אישר כי המכשיר יתמוך בטעינה מהירה של 120W. Insider Digital Chat Station הידועה בעבר הייתה הראשונה שדיווחה שהמכשיר יקבל אספקת חשמל של 120W.
המקורב טוען גם כי Redmi K50 Game Enhanced Edition יתבסס על MediaTek Dimensity 9000 SoC. Redmi K50 Game Enhanced Edition יהיה בעל תצוגת 2K OLED; עם תדר של 120 הרץ או 144 הרץ. יהיו לו ארבע מצלמות, כולל חיישן 64 מגה-פיקסל Sony Exmor IMX686. זמינים גם חיישן OV13B10 13MP וחיישן 8MP VTech OV08856. החיישן הרביעי יהיה חיישן עומק השדה 2 מגה-פיקסל GC02M1 של GalaxyCore. אולי תהיה גרסה נוספת עם חיישן ISOCELL HM2 של סמסונג ברזולוציה של 108 מגה פיקסל.
הסמארטפון יקבל סוללה גדולה, טעינה מהירה במיוחד, רמקולים סטריאו JBL ותכונות דגל נוספות.
Digital Chat Station הייתה הראשונה שנתנה מפרטים מדויקים ותאריכי שחרור עבור Redmi K30, K40, Xiaomi Mi 10 ו-Mi 11.
