Nanzu oghje, à a presentazione di a serie Xiaomi 12, u fabricatore cinese hà ancu liberatu u so terzu chip di u so propiu disignu. A cumpagnia chjama stu chip Surge P1. U primu SoC di u disignu propiu di Xiaomi hè Surge S1, liberatu in 2017 è installatu in Xiaomi Mi 5C. U so secondu chip sviluppatu in casa hè u chip Surge C1 ISP liberatu prima di questu annu cù Xiaomi Mi MIX FOLD. U presidente è CEO di Xiaomi, Lei Jun, hà dettu chì Xiaomi 12 Pro vene cun Surge P1.
Sicondu ellu, dopu à 18 mesi di ricerca è sviluppu, u microcircuit hà permessu di ottene una soluzione unicellulare 120W. Ellu dichjara chì questu hè assai più difficiuli di ottene cà una suluzione 120W di duie cellule. U circuitu hè duie volte più cumplicatu, a logica per cuntrullà u cambiamentu di modi hè 7 volte più cumplicata. Inoltre, i schemi di attivazione è di prutezzione sò 9 volte più cumplessi. In più, u disignu di u circuitu di cunduce hè 6 volte più cumplessu.
Lei Jun hà dettu chì cù u supportu di stu chip, a bateria 4600mAh pò esse cumpletamente carica à 100% in u modu più veloce in 18 minuti.
Xiaomi hà dettu chì u passatu sistema di carica rapida di una sola cellula hà utilizatu un circuitu parallelu in serie di 20 diverse pompe di carica per cunvertisce a tensione di input 5V à un telefuninu in una tensione 5V chì pò esse caricata in una batteria. necessariu. Inoltre, un gran numaru di pompe d'iniezione è una architettura cumuna in serie cunnessa generaranu assai calore. In cundizioni reali, hè impussibile di ottene u funziunamentu di u putere pienu per un bellu pezzu. Hè difficiule di ottene una carica rapida di 120 W.
Per risolve stu prublema è ottene una carica rapida di 120W, Xiaomi hà sviluppatu dui chip di carica intelligente è i mette in u Surge P1. Questi dui piglianu a struttura intricata di una pompa tradiziunale di 5 carica. Cunverte a putenza d'alta tensione furnita à u telefuninu in alta corrente chì pò esse caricata direttamente in a bateria più efficacemente.
Vantaggi Surge P1
Xiaomi hà dettu chì u Surge P1 hè u primu chip di carica risonante di l'industria è presenta una efficienza ultra-alta 4: 1 cù frequenza di commutazione adattativa. L'efficienza di a topologia risonante righjunghji 97,5%; L'efficienza di a topologia non-resonant hè 96,8%; a perdita di calore hè cascata da 30%.
U Surge P1 faci assai travagliu di rifitting. I pompi di carica tradiziunali necessitanu solu dui modi di funziunamentu (trasformazione, attraversu). Ma u Surge P1 deve supportà i modi di cunversione 1: 1, 2: 1 è 4: 1. Tutti i modi deve sustene a cunduzzione bidirezionale. Questu significa chì solu 15 permutazioni è combinazioni di cuntrollu di cambiamentu di modu sò richieste. Questu hè 7 volte più di e pompe di iniezione tradiziunali. U modu Direct 1: 1 rende a carica di u screnu luminoso più efficace; Modu direttu 2: 1 cumpatibile cù un gran numaru di caricatori; è fronte 4: 1 pò sustene a carica di 120W; U modu inversu 1: 2/1: 4 hè dispunibule.
Sicondu Xiaomi, u Surge P1 hè ancu u chip Xiaomi cù a più alta efficienza di carica 4: 1. Pò ghjunghje à una densità di putenza ultra-alta di 0,83W / mm². In più, LDMOS hà ottenutu un RSP ultra-bassu di l'industria di 1,18 mΩ · mm².
U chip Surge P1 richiede trè capacitori FLY differenti cù resistenze di tensione differenti. Ogni condensatore richiede un circuitu indipendente di prutezzione di circuitu apertu è di cortu circuitu. Inoltre, in ogni modu di funziunamentu, hè necessariu di cuntrullà strettamente a tensione di pre-charge. U numaru di tubi di putenza hè vicinu à duie pompe di carica tradiziunali. A causa di l'aumentu di a topologia di u disignu è di a cumplessità funzionale, ogni chip Surge P1 deve passà più di 2500 teste prima di lascià a fabbrica. Questu hè assai più altu ch'è u pumping di carica tradiziunale.
