Недавно на интерактивной платформе шанхайская корпорация Semiconductor Manufacturing International Corp (SMIC) намекнула, что она начала мелкомасштабное пробное производство своего процесса N + 1 FinFET второго поколения. Это было раскрыто в ответ на вопрос инвестора о прогрессе, достигнутом компанией в исследованиях и разработках и производстве 7-нанометровых изделий. 
Компания SMIC впервые объявила о том, что в 2019 году она достигла массового производства самого современного 14-нм процесса в Китае. Это процесс FinFET первого поколения компании, массовое производство началось в четвертом квартале 2019 года. для производства чипсета Hisilicon Kirin 710A, который сначала использовался в Honor Play 4T, а затем в паре других продуктов Huawei.
В сентябре этого года, когда инвесторы попросили уточнить внутренние новости о массовом производстве чипов следующего поколения, SMIC ответила, что процесс FinFET N + 1 второго поколения действительно вступил в стадию внедрения у клиентов. Компания также намекнула, что к концу 2020 года ожидается запуск мелкосерийного (пробного) производства.
В октябре этого года китайская компания INNOSILICON объявила, что она завершила первую в мире запись и тестирование микросхем на основе усовершенствованного процесса FinFET N + 1 компании SMIC. Все IP-адреса сделаны собственными силами, с одноразовыми функциями. 
Что касается процесса N + 1, генеральный директор SMIC Лян Мэнсонг ранее в этом году сообщил, что этот процесс очень похож на 7-нм процесс с точки зрения мощности и стабильности и не требует EUV-литографии. Новые технологические узлы N + 1 называются 8-нанометровыми или 7-нанометровыми процессами на ранней стадии. Процесс ориентирован на приложения с низким энергопотреблением. По сравнению с 14-нм техпроцессом, процесс SMIC N + 1 дает увеличение производительности на 20% и снижение энергопотребления на 57%, в то время как рыночный эталонный прирост производительности 7-нм должен составлять 35%.
Несмотря на то, что это позитивная новость, SMIC все еще на годы отстает от TSMC, который перешел на 5-нм техпроцесс и в настоящее время работает над своим 3-нм узлом следующего поколения.
-
-
-
-
-
-
-
-
