Ранее сегодня на презентации Xiaomi 12 series китайский производитель также выпустил свой третий чип собственной разработки. Компания называет этот чип Surge P1. Первая SoC собственной разработки Xiaomi — Surge S1, выпущенная в 2017 году и установленная на Xiaomi Mi 5C. Его второй чип собственной разработки — это чип интернет-провайдера Surge C1, выпущенный ранее в этом году вместе с Xiaomi Mi MIX FOLD. Председатель и генеральный директор Xiaomi Лэй Цзюнь сказал, что Xiaomi 12 Pro поставляется с Surge P1.
По его словам, после 18 месяцев исследований и разработок, микросхема позволила получить одноэлементное решение мощностью 120 Вт. Он утверждает, что этого намного труднее достичь, чем двухэлементное решение на 120 Вт. Схемотехника вдвое сложнее, логика управления переключением режимов в 7 раз сложнее. Кроме того, схемы запуска и защиты в 9 раз сложнее. Кроме того, конструкция схемы привода в 6 раз сложнее.
Лэй Цзюнь сказал, что с поддержкой этого чипа аккумулятор емкостью 4600 мАч может быть полностью заряжен на 100% в самом быстром режиме за 18 минут.
Xiaomi заявила, что в прошлой одноэлементной системе быстрой зарядки для преобразования входного напряжения 20 В на мобильный телефон в напряжение 5 В, которое можно заряжать в батарее, использовалась последовательно-параллельная схема из 5 различных зарядных насосов. обязательный. Кроме того, большое количество нагнетательных насосов и общая архитектура с последовательным соединением будут генерировать много тепла. В реальных условиях долгое время добиться работы на полной мощности невозможно. Трудно добиться быстрой зарядки мощностью 120 Вт.
Чтобы решить эту проблему и достичь быстрой зарядки 120 Вт, Xiaomi разработала два смарт-чипа для зарядки и поместила их в Surge P1. Эти два берут на себя сложную структуру традиционного 5-зарядного насоса. Они преобразуют высоковольтную мощность, подаваемую на мобильный телефон, в большой ток, который можно более эффективно заряжать напрямую в батарею.
Преимущества Surge P1
Xiaomi сообщила, что Surge P1 является первым в отрасли чипом для резонансной зарядки и имеет сверхвысокую эффективность 4: 1 с адаптивной частотой переключения. КПД резонансной топологии достигает 97,5%; КПД нерезонансной топологии 96,8%; потери тепла упали на 30%.
Surge P1 выполняет много работы по переоборудованию. Для традиционных загрузочных насосов требуется только два режима работы (трансформация, сквозной). Но Surge P1 должен поддерживать режимы преобразования 1: 1, 2: 1 и 4: 1. Все режимы должны поддерживать двунаправленную проводимость. Это означает, что требуется всего 15 перестановок и комбинаций управления переключением режимов. Это в 7 раз больше, чем у традиционных нагнетательных насосов. Режим прямого 1: 1 делает зарядку яркого экрана более эффективной; режим прямого 2: 1 совместим с большим количеством зарядных устройств; и передний 4: 1 может поддерживать зарядку 120 Вт; доступен обратный режим 1: 2/1: 4.
По данным Xiaomi, Surge P1 также является чипом Xiaomi с самой высокой эффективностью зарядки 4: 1. Он может достигать сверхвысокой плотности мощности 0,83 Вт / мм². Кроме того, LDMOS достиг ведущего в отрасли сверхнизкого RSP 1,18 мОм · мм².
Для микросхемы Surge P1 требуются три разных конденсатора FLY с разным сопротивлением напряжению. Каждый конденсатор требует независимой схемы защиты от обрыва и короткого замыкания. Также в каждом рабочем режиме необходимо строго контролировать напряжение предварительной зарядки. Количество силовых трубок близко к двум традиционным зарядным насосам. Из-за увеличения конструкции топологии и функциональной сложности каждая микросхема Surge P1 должна пройти более 2500 тестов перед отправкой с завода. Это намного выше, чем у традиционной накачки заряда.
